في العام الماضي، قامت شركة سامسونج بإصدار رقاقة الذاكرة eUFS 3.0 التي يمكن أن تصل سرعتها على مستوى الكتابة إلى 410 ميغابايت في الثانية، والآن بدأت الشركة الكورية الجنوبية في تصنيع رقاقة الذاكرة eUFS 3.1 والتي تبلغ سعتها 512GB مع العلم بأن رقاقة الذاكرة هذه ستكون أسرع بنحو ثلاث مرات على مستوى الكتابة التسلسلية.
قال نائب رئيس المبيعات وتسويق الذاكرة في شركة سامسونج، السيد Cheol Choi أن الذاكرة التخزينية الجديدة ستزيل عمليًا القلق بشأن مشكلة الإختناق التي يواجهها المستخدمون مع بطاقات الذاكرة التقليدية. يعكس المعيار الجديد ” إلتزام سامسونج المستمر بدعم الطلبات المتزايدة بسرعة من الشركات المصنعة للهواتف الذكية حول العالم “.
تصل سرعة رقاقة الذاكرة الجديدة Samsung 512GB eUFS 3.1 إلى أكثر من ضعف سرعة الحواسيب التي تستند على SATA، وأكثر من عشرة أضعاف سرعة بطاقة UHS-I microSD. من الناحية العملية، هذا يعني عدم وجود الحاجة للإنتظار أثناء مشاهدة فيديوهات 8K والصور الكبيرة الحجم على الهاتف ووقت أقل لنقل البيانات.
وفقا لشركة سامسونج، سيتم نقل 100 جيجابايت في غضون دقيقة واحدة تقريبًا بفضل رقاقة eUFS 3.1 الجديدة، مقارنة بأربع دقائق التي تتطلبها الهواتف الذكية التي تستخدم رقاقة UFS 3.0.
قال نائب رئيس المبيعات وتسويق الذاكرة في شركة سامسونج، السيد Cheol Choi أن الذاكرة التخزينية الجديدة ستزيل عمليًا القلق بشأن مشكلة الإختناق التي يواجهها المستخدمون مع بطاقات الذاكرة التقليدية. يعكس المعيار الجديد ” إلتزام سامسونج المستمر بدعم الطلبات المتزايدة بسرعة من الشركات المصنعة للهواتف الذكية حول العالم “.
تصل سرعة رقاقة الذاكرة الجديدة Samsung 512GB eUFS 3.1 إلى أكثر من ضعف سرعة الحواسيب التي تستند على SATA، وأكثر من عشرة أضعاف سرعة بطاقة UHS-I microSD. من الناحية العملية، هذا يعني عدم وجود الحاجة للإنتظار أثناء مشاهدة فيديوهات 8K والصور الكبيرة الحجم على الهاتف ووقت أقل لنقل البيانات.
وفقا لشركة سامسونج، سيتم نقل 100 جيجابايت في غضون دقيقة واحدة تقريبًا بفضل رقاقة eUFS 3.1 الجديدة، مقارنة بأربع دقائق التي تتطلبها الهواتف الذكية التي تستخدم رقاقة UFS 3.0.
