أكدت أحدث التقارير على خطط TSMC لبدء إنتاج الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر قبل الموعد المحدد سابقاً.
تعمل شركة TSMC في الوقت الراهن على تطوير عملية تصنيع بدقة 3 نانومتر المحسنة، وذلك إستعداداً لبدء الإنتاج.
تطور كلاً من سامسونج وTSMC في الوقت الحالي عملية تصنيع الرقاقات بدقة 3 نانومتر، حيث ترتكز عملية تصنيع TSMC على ترانزستورات FinFET، بينما ترتكز عملية سامسونج على معمارية GAA.
ولقد أكد التقرير الذي جاء من “Wccftech” على أن TSMC تستعد للإنتاج الضخم للشرائح المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر قبل الموعد المحدد.
أيضاً أشار”Morgan Stanley” إلى أن إنتاجية الشرائح المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر أعلى من المتوقع، لذا تتجه الشركة للإنتهاء من تصميم N3e بحلول نهاية هذا الشهر، أيضاً من المتوقع أن تبدأ في الإنتاج الضخم للشرائح المميزة بدقة تصنيع N3e في الربع الثاني من 2023، وهو موعد مبكر عن خطط الشركة السابقة لبدء الإنتاج في الربع الثالث من العام المقبل.
تعمل شركة TSMC في الوقت الراهن على تطوير عملية تصنيع بدقة 3 نانومتر المحسنة، وذلك إستعداداً لبدء الإنتاج.
تطور كلاً من سامسونج وTSMC في الوقت الحالي عملية تصنيع الرقاقات بدقة 3 نانومتر، حيث ترتكز عملية تصنيع TSMC على ترانزستورات FinFET، بينما ترتكز عملية سامسونج على معمارية GAA.
ولقد أكد التقرير الذي جاء من “Wccftech” على أن TSMC تستعد للإنتاج الضخم للشرائح المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر قبل الموعد المحدد.
أيضاً أشار”Morgan Stanley” إلى أن إنتاجية الشرائح المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر أعلى من المتوقع، لذا تتجه الشركة للإنتهاء من تصميم N3e بحلول نهاية هذا الشهر، أيضاً من المتوقع أن تبدأ في الإنتاج الضخم للشرائح المميزة بدقة تصنيع N3e في الربع الثاني من 2023، وهو موعد مبكر عن خطط الشركة السابقة لبدء الإنتاج في الربع الثالث من العام المقبل.
